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SSDI發布密封、高壓氮化鎵(GaN)功率場效應晶體管

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??? SSDI自豪地介紹了其應用于航天與國防領域的密封、高壓氮化鎵(GaN)功率場效應晶體管產品。46 A/700 V的氮化鎵(GaN)場效應晶體管SGF46E70,具有極低的導通電阻Low RDS(ON) MAX of 41mΩ(@30A),極低的柵極電荷Low QG MAX of 36nC(@32A), 并可提供TO-254和SMD1兩種封裝供設計師選擇。15A/1000V的氮化鎵(GaN)場效應晶體管SGF15E100,同樣具有極低的導通電阻Low RDS(ON) MAX of 205mΩ(@10A)和極低的柵極電荷Low QG TYP of 10nC(@10A),目前只提供TO-257的封裝。這兩個系列產品都是結合GaN HEMT和低壓硅MOSFET驅動器的共源共柵器件,以獲得優異的性能。


??? 氮化鎵(GaN)產品由于其改進的品質因數(RDS(ON) & QG)而備受關注,與傳統的硅MOSFET相比,它可實現更快的開關速度。由于具備比硅MOSFET更低的導通損耗和較差損耗,電路設計者可以通過切換到GaN產品來獲得更高的效率。 SSDI的高壓氮化鎵(GaN)功率場效應晶體管可用于多種應用,包括高效DC-DC / PoL轉換器、電機控制器和機器人/自動化技術等。


??? 雖然低壓、非密封氮化鎵(GaN)產品已被廣泛用于商業應用,但SSDI毅然專注于航天和國防應用的密封、大功率/高壓解決方案。依托于50年以上的高可靠性產品研發經驗,SSDI的研發制造團隊也可根據客戶特定的要求提供定制化的密封、高效的氮化鎵(GaN)產品解決方案。

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