steven_zhang@rironic.com     029-88377000 029-88377085  中文     English

陜西睿創電子科技有限公司

電 話:(86)029-88377000

地 址:西安市雁塔區唐延路11號禾盛京廣中心D座9層

網 址:www.xyyfjjw.com

您所在的位置:首頁 > 新聞資訊 > 行業新聞
SSDI發布了新的1200V SiC功率MOSFET——SFC35N120




SSDI發布了新的1200V SiC功率MOSFET——SFC35N120。這一增強型?N溝道MOSFET提供的最大持續漏電流為26-30A,低RDS(ON) 為96 mΩ?max??(@ 20 A, 25°C)。SFC35N120的低柵電荷為65 nC?max?,這也使得它比傳統的MOSFET更具優勢。

?

當SiC MOSFET用于替代MOSFET,可以提高開關應用的效率。SFC35N120擁有小于30ns(典型值)的開關切換速度。150°C時,該產品的導通電阻最大值僅為190mΩ,其顯示出優異的高溫性能,可支持較小的設備,便于并行配置,并減少熱管理硬件如風扇、散熱器。

?

由于碳化硅具有比硅更高的臨界擊穿場,因此SiC?MOSFET可以更小的封裝中達到與硅MOSFET相同的額定電壓。SFC35N120的封裝有TO-257,SMD.5Cerpack三種可供工程師選擇。這些密封的產品適用于高可靠性航空航天和國防應用,如高壓DC-DC轉換器和PFC升壓轉換器。




Copyright ?2008 -2019 rironic.com All rights reserved 版權所有:陜西睿創電子科技有限公司
地 址:西安市雁塔區唐延路11號禾盛京廣中心D座9層
電 話:029-88377000 88377085 傳真:029-88377181 陜ICP備18016835號
久久人人做人人玩人人妻精品,日本一本高清中文字幕视频,亚洲成A人片在线观看中文