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SSDI提供業界最小的高壓GaN功率場效應管




氮化鎵技術相對于傳統硅晶體管的優勢:

-的帶寬

-極低的反向恢復電荷(QRR)

-低柵電荷(QG)

-低漏源通態電阻(RDS(ON)))

-低溫度系數

 



對于電路設計人員的

-更高的效率

-快速切換速度

-低交叉損

-低的導通


    SSDI其密封高壓氮化鎵功率場效應管產品—SGF43E70-28。這款43A ,700 V器件,可在LCC28封裝中使用,它具有最小管腳占用(0.458”x 0.458”max)最小輪廓 (0.095”max) 密封高壓氮化鎵場效應管。LCC28封裝有一個內部銅鎢合金散熱器,可以焊接到外部散熱器上,以便更好地進行熱管理。


    SGF43E70-28特性為低RDS(ON) TYP :39 mΩ (@ 30 A)低QG TYP :24 nC (@ 32 A)。與傳統的硅MOSFET相比,這些器件具有低 (RDS(ON) x QG)的優點、低的導通損耗和低的交叉損耗,可以在更小的封裝中實現更快的開關切換和更高的效率。SSDI700 - 1000高壓GaN產品是集GaN HEMT和低壓硅MOSFET驅動器于一體的共源共柵級器件,具有優越的性能。SSDI的高壓氮化鎵功率場效應管可用于包括高效DC-DC / PoL轉換器和電機控制器在內的廣泛應用。


    雖然低電壓、非密封GaN器件廣泛用于商業應用,但SSDI專門為高功率/高壓航空航天和國防應用提供高密度密封解決方案。依托于50年以上的高可靠性產品研發經驗, SSDI研發制造團隊也可根據客戶特定的要求提供定制化的密封、高效的氮化鎵(GaN)產品解決方案。





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