steven_zhang@rironic.com     029-88377000 029-88377085  中文     English

陜西睿創電子科技有限公司

電 話:(86)029-88377000

地 址:西安市雁塔區唐延路11號禾盛京廣中心D座9層

網 址:www.xyyfjjw.com

您所在的位置:首頁 > 新聞資訊 > 行業新聞
MOS管和IGBT的區別


      在電子電路中,MOS管和IGBT管會經常出現,它們都可以作為開關元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?下面我們就來了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么區別吧!


什么是MOS管

場效應管主要有兩種類型,分別是結型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS管)。MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管,由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應管。




MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。




有的MOSFET內部會有個二極管,這是體二極管,或者叫寄生二極管、續流二極管。


關于寄生二極管的作用,有兩種解釋:

MOSFET的寄生二極管,作用是防止VDD過壓的情況下,燒壞MOS管,因為在過壓對MOS管造成破壞之前,二極管先反向擊穿,將大電流直接到地,從而避免MOS管被燒壞。防止MOS管的源極和漏極反接時燒壞MOS管,也可以在電路有反向感生電壓時,為反向感生電壓提供通路,避免反向感生電壓擊穿MOS管。


MOSFET具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開關等用途。



什么是IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。IGBT作為新型電子半導體器件,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電子電路中獲得極廣泛的應用。



IGBT的電路符號至今并未統一,畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號,這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。同時還要注意IGBT有沒有體二極管,圖上沒有標出并不表示一定沒有,除非官方資料有特別說明,否則這個二極管都是存在的。




IGBT內部的體二極管并非寄生的,而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的,又稱為FWD(續流二極管)。判斷IGBT內部是否有體二極管也并不困難,可以用萬用表測量IGBT的C極和E極,如果IGBT是好的,C、E兩極測得電阻值無窮大,則說明IGBT沒有體二極管。IGBT非常適合應用于如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。



MOS管與IGBT的結構特點


MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。




IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFET存在導通電阻高的缺點,但IGBT克服了這一缺點,在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。




另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能會慢于MOSFET,因為IGBT存在關斷拖尾時間,由于IGBT關斷拖尾時間長,死區時間也要加長,從而會影響開關頻率。



選擇MOS管還是IGBT


在電路中,選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結出以下幾點:




也可從下圖看出兩者使用的條件,陰影部分區域表示MOSFET和IGBT都可以選用,“?”表示當前工藝還無法達到的水平。




總的來說,MOSFET優點是高頻特性好,可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz,缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大;而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越,其導通電阻小,耐壓高。


MOSFET應用于開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等等高頻電源領域;IGBT集中應用于焊機、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應加熱等領域。





Copyright ?2008 -2019 rironic.com All rights reserved 版權所有:陜西睿創電子科技有限公司
地 址:西安市雁塔區唐延路11號禾盛京廣中心D座9層
電 話:029-88377000 88377085 傳真:029-88377181 陜ICP備18016835號
久久人人做人人玩人人妻精品,日本一本高清中文字幕视频,亚洲成A人片在线观看中文